3M Liqui-Cel EXF-G531S 14X28脱气膜案例1：半导体12英寸晶圆厂超纯水脱氧应用

 3M Liqui-Cel EXF-G531S 14X28脱气膜案例1：半导体12英寸晶圆厂超纯水脱氧应用

在12英寸先进晶圆制造工艺中，超纯水溶解氧含量直接决定芯片光刻、蚀刻环节的良品率，传统真空脱气塔存在能耗高、脱氧精度不足、维护频繁的痛点，某头部晶圆代工厂引入3M Liqui-Cel EXF-G531S 14X28脱气膜，搭建超纯水末端精密脱氧系统，全面优化溶解气体控制工艺。该项目中，3M Liqui-Cel EXF-G531S 14X28脱气膜依托疏水性中空纤维微孔膜结构，采用真空抽吸+氮气吹扫耦合工艺，无需添加化学脱氧剂，实现物理式高效脱气，避免化学残留污染超纯水。运行数据显示，该脱气膜可将EDI产水端溶解氧从8-10ppm稳定降至1ppb以下，完全满足14nm制程超纯水溶解氧≤2ppb的严苛标准，膜组件耐压性达标0.6MPa，适配超纯水系统高压运行工况，压力损耗仅0.03MPa，无需额外增设增压泵。相较于传统脱气工艺，搭载3M Liqui-Cel EXF-G531S 14X28脱气膜的系统占地面积缩减65%，年维护成本降低72%，连续无故障运行时长突破18000小时，有效减少晶圆氧化缺陷，将芯片制程良品率提升3.2个百分点，成为先进半导体制造超纯水脱气的核心选型。